公司新聞

IGBT模塊的注意事項?

由于IGBT模塊結構MOSFET、IGBT網格通過一層氧化膜和發射器實現電氣隔離。由于氧化膜非常薄,擊穿電壓一般20 ~ 30 v。因此電網故障引起的靜態的常見失效的原因IGBT。所以使用注意以下:
1。當使用模塊,盡量不要觸摸驅動器終端部分,當必須觸摸模塊終端靜電對人體或衣物大電阻接地后放,然后觸摸;
2。連接模塊驅動程序終端在導電材料,請不要插頭未連接模塊之前布線;
3。盡可能的情況下,地板上一個好的接地操作。
有時,盡管在應用程序以確保柵極驅動電壓不超過電網*大額定電壓,但網格連接的寄生電感和電容耦合網格和收藏家,也可以產生氧化損傷層振蕩電壓。
因此,通常由雙絞線傳輸信號,以減少寄生電感。
小電阻串聯在電網連接也可以抑制振蕩電壓。
此外,在柵極打開,如果極間電壓和收藏家和發射,因為改變電極電勢,由于泄漏電流流經收集器,更高的柵極電壓,電流流經收集器。
這時,如果收集器和發射電極的高電壓,它可以使IGBT發燒當受損。
如果使用IGBT,當網格電路是正常的或網格電路損壞(網格在開路狀態),如果在主電路和IGBT電壓時,會破壞,防止這樣的失敗,應該是門和發射極之間連接一個10 kΩ阻力。
當安裝或更換IGBT模塊,我們應該高度重視接觸狀態的IGBT模塊與散熱器和收緊。
為了減少接觸熱阻,*好的散熱器和IGBT模塊之間的導熱硅膠。
通常是安裝在底部的散熱器冷卻風扇,當冷卻風扇損壞從散熱器冷卻壞熱將導致IGBT模塊,和失敗。
所以定期檢查冷卻風扇,一般在散熱器在IGBT模塊配備溫度傳感器,當溫度太高會報警或停止IGBT模塊的工作。
15选5历史开奖数据查询